EDO - перевод на Английский
Diclib.com
Словарь ChatGPT
Поиск в словаре Индивидуальные решения
Введите слово или словосочетание на любом языке 👆
Язык:

Перевод и анализ слов искусственным интеллектом ChatGPT

На этой странице Вы можете получить подробный анализ слова или словосочетания, произведенный с помощью лучшей на сегодняшний день технологии искусственного интеллекта:

  • как употребляется слово
  • частота употребления
  • используется оно чаще в устной или письменной речи
  • варианты перевода слова
  • примеры употребления (несколько фраз с переводом)
  • этимология
  1. Словари
  2. Англо-русский словарь
  3. EDO

EDO - перевод на Английский

WIKIMEDIA DISAMBIGUATION PAGE
EDO (disambiguation); Edo (disambiguation)
Найдено результатов: 15
EDO         
  • alt=Small, sepia-colored map of Edo in the 1840s
  • Typical <nowiki>''nagaya''</nowiki> housing district in backstreets.
  • alt=Museum room with wood furniture and cooking utensils in center
  • Famous places of Edo in 1803
  • alt=Illustration of people crossing the wooden Edo Bridge
  • alt=Painted scroll of a great fire, with people trying to escape
FORMER NAME OF TOKYO. CAPITAL OF TOKUGAWA SHOGUNATE (1603-1868)
Yedo; Yeddo; Jedo; 江戸; 江戶; Edo, Japan; Old Tokyo

общая лексика

динамическое ОЗУ с увеличенным временем доступности [выдачи] данных, EDO-память, EDO RAM

тип динамического ОЗУ с изменениями в схеме синхронизации, обеспечивающими более быструю, чем DRAM, скорость чтения непрерывных областей памяти, так как позволяет начать новый цикл чтения до завершения предыдущей операции

синоним

EDO RAM; EDO DRAM (Extended [Enhanced] Data Output [RAM])

EDO memory         
  • [[MoSys]] MDRAM MD908
  • accessdate=2022-03-09}}</ref> (lower edge, right of middle).
  • 1 Mbit high speed [[CMOS]] pseudo static RAM, made by [[Toshiba]]
  • NMOS]] DRAM cell. It was patented in 1968.
  • die]] of a Samsung DDR-SDRAM 64MBit package
  • Inside a Samsung GDDR3 256&nbsp;MBit package
  • A 512 MBit [[Qimonda]] GDDR3 SDRAM package
  • Writing to a DRAM cell
RANDOM-ACCESS MEMORY THAT STORES EACH BIT OF DATA IN A SEPARATE CAPACITOR WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT
DRAM (memory); Pseudostatic RAM; PSRAM; Pseudostatic Random Access Memory; Window RAM; Dynamic RAM; EDO RAM; Fast Page Mode DRAM; FPM RAM; FPM DRAM; Fast Page Mode RAM; BEDO (RAM); MDRAM; Row Access Strobe; Column Access Strobe; CAS access time; Precharge interval; Row address select; Column address select; 1T DRAM; DDRAM; D-RAM; EDO DRAM; Fast page mode; Page mode memory; Extended Data Out RAM; BEDO RAM; Burst EDO; Multibank DRAM; Intel 1102; Burst EDO DRAM; Memory Timing; Dynamic Random Access Memory; FPRAM; Dynamic random access memory; Extended data out DRAM; Extended Data Out DRAM; Dynamic Random access memory; Static column RAM; Memory row; DRAM row; Row activation; WRAM (memory); 1T1C; 1t1c; 3T1C; Page mode RAM; Page mode DRAM; DRAM; D. R. A. M.; D.R.A.M.; DRAM memory; Asynchronous DRAM; EDO memory; Fast page mode DRAM; Window DRAM; Video DRAM; Nibble mode; EDO SGRAM

Смотрите также

EDO

EDO DRAM         
  • [[MoSys]] MDRAM MD908
  • accessdate=2022-03-09}}</ref> (lower edge, right of middle).
  • 1 Mbit high speed [[CMOS]] pseudo static RAM, made by [[Toshiba]]
  • NMOS]] DRAM cell. It was patented in 1968.
  • die]] of a Samsung DDR-SDRAM 64MBit package
  • Inside a Samsung GDDR3 256&nbsp;MBit package
  • A 512 MBit [[Qimonda]] GDDR3 SDRAM package
  • Writing to a DRAM cell
RANDOM-ACCESS MEMORY THAT STORES EACH BIT OF DATA IN A SEPARATE CAPACITOR WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT
DRAM (memory); Pseudostatic RAM; PSRAM; Pseudostatic Random Access Memory; Window RAM; Dynamic RAM; EDO RAM; Fast Page Mode DRAM; FPM RAM; FPM DRAM; Fast Page Mode RAM; BEDO (RAM); MDRAM; Row Access Strobe; Column Access Strobe; CAS access time; Precharge interval; Row address select; Column address select; 1T DRAM; DDRAM; D-RAM; EDO DRAM; Fast page mode; Page mode memory; Extended Data Out RAM; BEDO RAM; Burst EDO; Multibank DRAM; Intel 1102; Burst EDO DRAM; Memory Timing; Dynamic Random Access Memory; FPRAM; Dynamic random access memory; Extended data out DRAM; Extended Data Out DRAM; Dynamic Random access memory; Static column RAM; Memory row; DRAM row; Row activation; WRAM (memory); 1T1C; 1t1c; 3T1C; Page mode RAM; Page mode DRAM; DRAM; D. R. A. M.; D.R.A.M.; DRAM memory; Asynchronous DRAM; EDO memory; Fast page mode DRAM; Window DRAM; Video DRAM; Nibble mode; EDO SGRAM

общая лексика

(Extended [Enhanced] Data Output [RAM])

Смотрите также

EDO

EDO RAM         
  • [[MoSys]] MDRAM MD908
  • accessdate=2022-03-09}}</ref> (lower edge, right of middle).
  • 1 Mbit high speed [[CMOS]] pseudo static RAM, made by [[Toshiba]]
  • NMOS]] DRAM cell. It was patented in 1968.
  • die]] of a Samsung DDR-SDRAM 64MBit package
  • Inside a Samsung GDDR3 256&nbsp;MBit package
  • A 512 MBit [[Qimonda]] GDDR3 SDRAM package
  • Writing to a DRAM cell
RANDOM-ACCESS MEMORY THAT STORES EACH BIT OF DATA IN A SEPARATE CAPACITOR WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT
DRAM (memory); Pseudostatic RAM; PSRAM; Pseudostatic Random Access Memory; Window RAM; Dynamic RAM; EDO RAM; Fast Page Mode DRAM; FPM RAM; FPM DRAM; Fast Page Mode RAM; BEDO (RAM); MDRAM; Row Access Strobe; Column Access Strobe; CAS access time; Precharge interval; Row address select; Column address select; 1T DRAM; DDRAM; D-RAM; EDO DRAM; Fast page mode; Page mode memory; Extended Data Out RAM; BEDO RAM; Burst EDO; Multibank DRAM; Intel 1102; Burst EDO DRAM; Memory Timing; Dynamic Random Access Memory; FPRAM; Dynamic random access memory; Extended data out DRAM; Extended Data Out DRAM; Dynamic Random access memory; Static column RAM; Memory row; DRAM row; Row activation; WRAM (memory); 1T1C; 1t1c; 3T1C; Page mode RAM; Page mode DRAM; DRAM; D. R. A. M.; D.R.A.M.; DRAM memory; Asynchronous DRAM; EDO memory; Fast page mode DRAM; Window DRAM; Video DRAM; Nibble mode; EDO SGRAM

общая лексика

(Extended [Enhanced] Data Output [RAM])

Смотрите также

EDO

Tokyo Bay         
  • USS ''Missouri'']] and Tokyo Bay, September 2, 1945
  • Tokyo Bay, in a narrow sense (pink) and in a broad sense (pink and blue)
BAY IN JAPAN
Edo Bay; Tokyo bay; Tokyo Wan

['təukiəu'bei]

география

Токийский залив

edo-mo      

математика

число 12 в степени -4 (0.0001 в двенадцатиричной системе)

Window RAM         
  • [[MoSys]] MDRAM MD908
  • accessdate=2022-03-09}}</ref> (lower edge, right of middle).
  • 1 Mbit high speed [[CMOS]] pseudo static RAM, made by [[Toshiba]]
  • NMOS]] DRAM cell. It was patented in 1968.
  • die]] of a Samsung DDR-SDRAM 64MBit package
  • Inside a Samsung GDDR3 256&nbsp;MBit package
  • A 512 MBit [[Qimonda]] GDDR3 SDRAM package
  • Writing to a DRAM cell
RANDOM-ACCESS MEMORY THAT STORES EACH BIT OF DATA IN A SEPARATE CAPACITOR WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT
DRAM (memory); Pseudostatic RAM; PSRAM; Pseudostatic Random Access Memory; Window RAM; Dynamic RAM; EDO RAM; Fast Page Mode DRAM; FPM RAM; FPM DRAM; Fast Page Mode RAM; BEDO (RAM); MDRAM; Row Access Strobe; Column Access Strobe; CAS access time; Precharge interval; Row address select; Column address select; 1T DRAM; DDRAM; D-RAM; EDO DRAM; Fast page mode; Page mode memory; Extended Data Out RAM; BEDO RAM; Burst EDO; Multibank DRAM; Intel 1102; Burst EDO DRAM; Memory Timing; Dynamic Random Access Memory; FPRAM; Dynamic random access memory; Extended data out DRAM; Extended Data Out DRAM; Dynamic Random access memory; Static column RAM; Memory row; DRAM row; Row activation; WRAM (memory); 1T1C; 1t1c; 3T1C; Page mode RAM; Page mode DRAM; DRAM; D. R. A. M.; D.R.A.M.; DRAM memory; Asynchronous DRAM; EDO memory; Fast page mode DRAM; Window DRAM; Video DRAM; Nibble mode; EDO SGRAM

Смотрите также

WRAM

dynamic RAM         
  • [[MoSys]] MDRAM MD908
  • accessdate=2022-03-09}}</ref> (lower edge, right of middle).
  • 1 Mbit high speed [[CMOS]] pseudo static RAM, made by [[Toshiba]]
  • NMOS]] DRAM cell. It was patented in 1968.
  • die]] of a Samsung DDR-SDRAM 64MBit package
  • Inside a Samsung GDDR3 256&nbsp;MBit package
  • A 512 MBit [[Qimonda]] GDDR3 SDRAM package
  • Writing to a DRAM cell
RANDOM-ACCESS MEMORY THAT STORES EACH BIT OF DATA IN A SEPARATE CAPACITOR WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT
DRAM (memory); Pseudostatic RAM; PSRAM; Pseudostatic Random Access Memory; Window RAM; Dynamic RAM; EDO RAM; Fast Page Mode DRAM; FPM RAM; FPM DRAM; Fast Page Mode RAM; BEDO (RAM); MDRAM; Row Access Strobe; Column Access Strobe; CAS access time; Precharge interval; Row address select; Column address select; 1T DRAM; DDRAM; D-RAM; EDO DRAM; Fast page mode; Page mode memory; Extended Data Out RAM; BEDO RAM; Burst EDO; Multibank DRAM; Intel 1102; Burst EDO DRAM; Memory Timing; Dynamic Random Access Memory; FPRAM; Dynamic random access memory; Extended data out DRAM; Extended Data Out DRAM; Dynamic Random access memory; Static column RAM; Memory row; DRAM row; Row activation; WRAM (memory); 1T1C; 1t1c; 3T1C; Page mode RAM; Page mode DRAM; DRAM; D. R. A. M.; D.R.A.M.; DRAM memory; Asynchronous DRAM; EDO memory; Fast page mode DRAM; Window DRAM; Video DRAM; Nibble mode; EDO SGRAM

общая лексика

динамическое ОЗУ

Смотрите также

DRAM

Dynamic Random-Access Memory         
  • [[MoSys]] MDRAM MD908
  • accessdate=2022-03-09}}</ref> (lower edge, right of middle).
  • 1 Mbit high speed [[CMOS]] pseudo static RAM, made by [[Toshiba]]
  • NMOS]] DRAM cell. It was patented in 1968.
  • die]] of a Samsung DDR-SDRAM 64MBit package
  • Inside a Samsung GDDR3 256&nbsp;MBit package
  • A 512 MBit [[Qimonda]] GDDR3 SDRAM package
  • Writing to a DRAM cell
RANDOM-ACCESS MEMORY THAT STORES EACH BIT OF DATA IN A SEPARATE CAPACITOR WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT
DRAM (memory); Pseudostatic RAM; PSRAM; Pseudostatic Random Access Memory; Window RAM; Dynamic RAM; EDO RAM; Fast Page Mode DRAM; FPM RAM; FPM DRAM; Fast Page Mode RAM; BEDO (RAM); MDRAM; Row Access Strobe; Column Access Strobe; CAS access time; Precharge interval; Row address select; Column address select; 1T DRAM; DDRAM; D-RAM; EDO DRAM; Fast page mode; Page mode memory; Extended Data Out RAM; BEDO RAM; Burst EDO; Multibank DRAM; Intel 1102; Burst EDO DRAM; Memory Timing; Dynamic Random Access Memory; FPRAM; Dynamic random access memory; Extended data out DRAM; Extended Data Out DRAM; Dynamic Random access memory; Static column RAM; Memory row; DRAM row; Row activation; WRAM (memory); 1T1C; 1t1c; 3T1C; Page mode RAM; Page mode DRAM; DRAM; D. R. A. M.; D.R.A.M.; DRAM memory; Asynchronous DRAM; EDO memory; Fast page mode DRAM; Window DRAM; Video DRAM; Nibble mode; EDO SGRAM
см. DRAM
higan cherry         
NOTHOSPECIES OF PLANT
Higan Cherry; Spring Cherry; Higan cherry; Spring cherry; Winter-flowering cherry; Prunus herincquiana; Prunus x subhirtella; Prunus changyangensis; Prunus autumnalis; Prunus ×subhirtella; Prunus subhirtella

общая лексика

вишня короткощетинистая (Cerasus subhirtella)

Определение

EDO
Extended Data Out [Additional explanations: ram] (Reference: RAM, DRAM, IC)
Показать больше определений

Википедия

EDO

Edo or EDO may refer to:

https://en.wikipedia.org/wiki/EDO
Как переводится EDO на Русский язык
Поиск в словаре
Все словари Английский словарь Англо-арабский словарь Англо-голландский словарь Англо-греческий словарь Англо-испанский словарь Англо-итальянский словарь Англо-немецкий словарь Англо-русский словарь Англо-французский словарь Арабский словарь Голландский словарь Греческий словарь Испанский словарь Итальянский словарь Итальянско-русский словарь Латинско-испанский словарь Латинско-португальский словарь Немецкий словарь Португальский словарь Португальско-русский словарь Русский словарь Французский словарь Французско-русский словарь
Создано ИИ
Английский Русский Испанский Португальский Немецкий Французский Греческий Голландский Итальянский Арабский
Язык интерфейса
Русский English Español Português Deutsch Français Ελληνικά Nederlands Italiano عربي
Контакты
Свяжитесь с нами



Конфиденциальность
Политика конфиденциальности